Роден е в софийското село Долна Секирна

Образование

Завършва Физическия факултет на Софийския университет (1969)

Защитава докторска дисертация (1979) и дисертация за доктор на физическите науки (1999), утвърден за доктор на физическите науки на 04.06.2001

Научни изследвания

Работи в областта на израстване и изследване свойствата на кристали (фероелектрици), оптични свойства на фоторефрактивни кристали на оксидни съединения

Създава апаратура и технология за израстване на кристали по различни методи (на Чохларски с тегловен контрол на диаметъра на кристала, на Бриджмен, израстване от газова фаза с осцилация на температурата)

В лабораторията по израстване на кристали са създадени над 70 нови вида кристали (полупроводникови, сложни оксидни кристали, фероелектрични, манганати и др)

Създадена е технология за израстване на кристали за приемници на инфрачервена светлина от 3 до 5 микрона за нощно наблюдение с 850 000 лева икономически ефект

За американската фирма Targetinstruments са създадени кристали за неохлаждаеми детектори на ядрени лъчения на стойност 20 000 долара

Проф. Марин Господинов ръководи научно приложния проект Жикател към Министерството на отбраната

Създадените в лабораторията системи за управление на технологични процеси са внедрени в няколко стъкларски завода в страната с 400 000 лева икономически ефект

Преподавателска дейност

Проф. Марин Господинов е чел два курса лекции по Физика на кондензираната материя 20 семестъра и по Експериментални методи във физиката на кондензираната материя 16 семестъра в Югозападния университет в Благоевград (1988-1999)

В Югозападния университет в Благоевград ръководи 8 докторанти (1973-1978)

В лабораторията по израстване на кристали са работили под негово ръководство 4 специализанти от Северна Корея за по 2 месеца и 1 от Виетнам за 1 година (1985-1987)